Неверный логин или пароль
или войдите через:
×
На ваш почтовый ящик отправлены инструкции по восстановлению пароля
x
Онлайн-НКМ ва виртуал касса солиқ органларида қандай тарзда рўйхатдан чиқариладиНима учун январь ойи ҳисоботида айланмадан олинадиган солиқ ставкаси нотўғри қўлланиладиҲуқуқдан ўзганинг фойдасига воз кечиш шартномаси бўйича валюта маблағларини ўтказиш мумкинмиҲуқуқдан ўзганинг фойдасига воз кечиш шартномаси бўйича валюта маблағларини ўтказиш мумкинми

Развитием физики полупроводников и микроэлектроники займется новый НИИ

28.06.2018

Рус тилида ўқиш


Это следует из постановления Кабинета Министров от 25.06. 2018 г. № 468 «О создании Научно-исследовательского института физики полупроводников и микроэлектроники при Национальном университете Узбекистана имени Мирзо Улугбека».


 


 

От редакции: этот документ и 75 000 других нормативно-правовых актов с разъяснениями собраны в ИПС «Законодательство РУз». Скачайте демонстрационную версию здесь (32,1 МБ).



 

Создается новый институт



Лаборатории института оснастят современным научным оборудованием и обеспечат  расходными материалами и комплектующими. Ему  передадут  уникальный научный объект «Электростатический ускоритель ЭГ-2 СОКОЛ» для изучения влияния воздействия различных видов излучения на свойства полупроводниковых материалов и приборов на их основе.



В НИИ будет организован  Научный совет по присуждению ученой степени доктора философии (PhD) по специальности 01.04.10 - физика полупроводников.

Здесь же расположится научный журнал «Физика полупроводников и микроэлектроника» для опубликования результатов научно- исследовательских работ.

 

Чем будет заниматься НИИ

 

Основными задачами института определено:

  • участие в формировании приоритетных направлений и проведение фундаментальных и прикладных научных исследований, реализацию инновационных проектов в области физики полупроводников, полупроводниковой микроэлектроники, материаловедения, гелиофизики и альтернативных источников энергии, в том числе путем организации кластерной формы выполнения проектов научных исследований, а также анализ современных мировых тенденций развития отрасли физики полупроводников и микроэлектроники;
  • разработка технологий создания новых полупроводниковых материалов и исследование параметров многослойных структур на их основе, являющихся базовыми элементами микроэлектроники и фотоники;
  • создание современных полупроводниковых приборов различного функционального назначения со стабильными и воспроизводимыми параметрами, востребованных в высокотехнологичных сферах и отраслях экономики республики;
  • укрепление материально-технической базы Института современным учебным и научным лабораторным оборудованием, необходимым для проведения научных исследований и реализации инновационных проектов в области физики полупроводников и полупроводниковой микроэлектроники;
  • разработка и осуществление мероприятий по взаимодействию высших образовательных учреждений, научно-исследовательских учреждений, органов хозяйственного управления, промышленных и других заинтересованных организаций, а также частного сектора, направленных на внедрение инноваций в области физики полупроводников и полупроводниковой микроэлектроники;
  • обеспечение интеграции фундаментальной и прикладной науки с образовательным процессом на всех этапах, включая использование лабораторной базы для выполнения учебно-экспериментальных, лабораторных и курсовых работ, производственной и преддипломной практики;
  • повышение качества и уровня учебно-методической работы путем оказания содействия в создании новых учебных программ, учебников, учебных пособий соответствующих направлений образования бакалавриата и специальностей магистратуры;
  • установление и развитие международных связей, организацию разработки и выполнения совместных международных проектов в области физики полупроводников и полупроводниковой микроэлектроники, а также проведения международных научных конференций и симпозиумов;
  • оказание научно-методического содействия в подготовке бакалавров и магистров, а также подготовку научно-педагогических кадров высшей квалификации путем организации обучения в институтах послевузовского образования на базе Института по соответствующим специальностям физики;
  • разработка наукоемких технологий и внедрение инновационных разработок в области физики полупроводников, микроэлектроники и фотоники в производство, а также коммерциализацию результатов научных исследований в соответствии с потребностями организаций и отраслей экономики республики.

 

Кроме того, на основе потребностей отраслей экономики будет разработана научно-техническая программа разработки инновационных технологий и создания новых полупроводниковых материалов в Научно-исследовательском институте физики.

 

Оплата труда сотрудников

 

На работников Института распространяются условия оплаты и материального стимулирования, установленные для соответствующих должностей научно-исследовательских учреждений Академии наук.

 

Участие в подготовке кадров

 

Начиная с 2019/2020 учебного года,  на базе лабораторий НИИ будут вестись занятия  для студентов 2-4 курсов бакалавриата направлений образования «Физика», «Методика преподавания физики и астрономии», «Биомедицинская физика» и соответствующих специальностей магистратуры высших образовательных учреждений республики. Здесь же студенты смогут проходить квалификационную практику для защиты выпускных квалификационных работ и магистерских диссертаций.

 

Адрес института

 

Институт будет располагаться по адресу: город Ташкент, Алмазарский район, ул. Янги Алмазар, 20. Сейчас там Алмазарский академический лицей при Ташкентском государственном институте востоковедения. Учащиеся лицея продолжат образовательный процесс в зданиях Института до окончания ими обучения.

 

Документ опубликован в Национальной базе данных законодательства и вступил в силу 27.06.2018 года.


 

                                                                                              Олег Гаевой.

 

 

Валюталар курси

2024-04-24
  • USD:12705.00 (+0.00) сум
  • EUR:13543.53 (+0.00) сум
  • RUB:136.11 (+0.00) сум